參數(shù)資料
型號： MMBT2222ATBT/R7
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 0K
代理商： MMBT2222ATBT/R7
PAGE . 2
STAD-MAR.6.2008
MMBT2222ATB
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IB
I
=
1
B
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m
5
1
=
2
--
0
6s
n
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Note 2: Pulse Test: Pulse Width < 300 us, Duty Cycle < 2.0%.
200
W
1K
W
0
-2 V
1.0 to 100u s
Duty Cycle ~ 2.0%
+16V
+30 V
Fig. 1 T urn-On T i me
Fig. 2 T urn-Off T ime
< 2ns
C * < 10pF
S
* Total shunt capacitance o f t est jig, connectors, and oscilloscope
Scope rise time < 4ns
0
-14 V
1.0 to 100us
Duty Cycle ~ 2.0%
+16V
< 20ns
-4V
0
1N914
+30V
200
W
1K
W
C* < 10pF
S
SWITCHING TIME EQUIVALENT TEST CIRCUITS
相關PDF資料
PDF描述
MMBT2222ATBT/R13 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2222ATB 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2484D84Z 100 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2907A-13 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2907A-GS18 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MMBT2222A-TP 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2222ATR 制造商:All American Misc. 功能描述:
MMBT2222AT-T 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2222ATT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 75V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2222ATT1_10 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistor
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