參數(shù)資料
型號(hào): MMBT2222ATBT/R13
元件分類(lèi): 小信號(hào)晶體管
英文描述: 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù): 1/3頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
代理商: MMBT2222ATBT/R13
PAGE . 1
STAD-MAR.6.2008
MMBT2222ATB
NPN GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR
VOLTAGE
40 Volts
225 mWatts
FEATURES
NPN epitaxial silicon, planar design
Collector-emitter voltage VCE = 40V
Collector current IC = 600mA
In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
MECHANICALDATA
Case: SOT-523, Plastic
Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Approx. Weight: 0.002 gram
Marking: MY
POWER
ABSOLUTE RATINGS
THERMAL CHARACTERISTICS
Note 1: Transistor mounted on FR-5 board 1.0 x 0.75 x 0.062 in.
SOT-523
0.024(0.60)
0.019(0.50)
0.067(1.70)
0.059(1.50)
0.012(0.30)
0.004(0.10)
0.052(1.30)
0.043(1.10)
0.067(1.70)
0.059(1.50)
0.007(0.10)
0.002(0.07)
0.044(1.10)
0.035(0.09)
0.009(0.23)
0.013(0.33)
R
E
T
E
M
A
R
A
Pl
o
b
m
y
Se
u
l
a
Vs
t
i
n
U
)
1
e
t
o
N
(
n
o
i
t
a
p
i
s
i
D
r
e
w
o
P
x
a
M
PTOT
5
2
2W
m
t
n
e
i
b
m
A
o
t
n
o
i
t
c
n
u
J
,
e
c
n
a
t
s
i
s
e
R
l
a
m
r
e
h
T
R
θJA
3
8
O
W
/
C
e
g
n
a
R
e
r
u
t
a
r
e
p
m
e
T
e
g
a
r
o
t
S
d
n
a
n
o
i
t
c
n
u
J
g
n
i
t
a
r
e
p
O
TJ T
, STG
0
5
1
+
o
t
5
-
OC
R
E
T
E
M
A
R
A
Pl
o
b
m
y
Se
u
l
a
Vs
t
i
n
U
e
g
a
t
l
o
V
r
e
t
i
m
E
-
r
o
t
c
e
ll
o
C
VCEO
0
4V
e
g
a
t
l
o
V
e
s
a
B
-
r
o
t
c
e
ll
o
C
VCBO
5
7V
e
g
a
t
l
o
V
e
s
a
B
-
r
e
t
i
m
E
VEBO
0
.
6V
s
u
o
u
n
i
t
n
o
C
-
t
n
e
r
u
C
r
o
t
c
e
ll
o
C
I C
0
6A
m
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT2222ATB 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2484D84Z 100 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2907A-13 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2907A-GS18 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2907ALT1
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBT2222A-TP 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2222ATR 制造商:All American Misc. 功能描述:
MMBT2222AT-T 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2222ATT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 75V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2222ATT1_10 制造商:ONSEMI 制造商全稱(chēng):ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistor