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參數(shù)資料
| 型號： | MMBT2222ALT1-TP |
| 廠商： | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 139K |
| 代理商： | MMBT2222ALT1-TP |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT2222ALT1 | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT2222ARF | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT2222ARFG | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT2222AT-13 | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT2222AT/R13 | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBT2222ALT2 | 制造商:Motorola 功能描述:2222 MOT T/R NXA2D N4B3B |
| MMBT2222ALT3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 75V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT2222ALT3G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS GP XSTR NPN 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT2222ALT3NT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:AF TRANSISTORS |
| MMBT2222AM3T5G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS SOT723 GP TRANSTR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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