參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT2222AD87Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 1000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù)： 11/17頁(yè)
文件大?。?/td> 898K
代理商： MMBT2222AD87Z
Typical Characteristics
Typical Pulsed Current Gain
vs Collector Current
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
0
100
200
300
400
500
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
h
-
T
Y
P
IC
A
L
P
U
L
S
E
D
C
U
R
E
N
T
GA
IN
C
FE
125 °C
25 °C
- 40 °C
V
= 5V
CE
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
110
100
500
0.1
0.2
0.3
0.4
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
COL
L
E
C
TO
R-
E
M
IT
T
E
R
VOL
T
A
G
E
(
V
)
CE
S
A
T
25 °C
C
β = 10
125 °C
- 40 °C
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
1
10
100
500
0.4
0.6
0.8
1
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
B
A
SE-
E
M
ITTER
VO
L
T
A
G
E
(V
)
BE
S
A
T
C
β = 10
25 °C
125 °C
- 40 °C
Base-Emitter ON Voltage vs
Collector Current
0.1
1
10
25
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
BA
S
E
-E
M
IT
T
E
R
ON
V
O
L
T
AG
E
(
V
)
BE
(O
N
)
C
V
= 5V
CE
25 °C
125 °C
- 40 °C
Collector-Cutoff Current
vs Ambient Temperature
25
50
75
100
125
150
0.1
1
10
100
500
T - AMBIENT TEMPERATURE ( C)
I
-
C
O
L
E
CT
OR
C
U
R
EN
T
(n
A)
A
V
= 40V
CB
O
°
Emitter Transition and Output
Capacitance vs Reverse Bias Voltage
0.1
1
10
100
4
8
12
16
20
REVERSE BIAS VOLTAGE (V)
C
A
P
A
CI
T
A
NC
E
(
p
F
)
f = 1 MHz
C ob
C te
NPN General Purpose Amplifier
(continued)
PN2222A
/
MMBT2222A
/
PZT2222A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT2222ATBT/R7 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2222ATBT/R13 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2222ATB 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2484D84Z 100 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2907A-13 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBT2222ADW1T1 制造商:WILLAS 制造商全稱:WILLAS 功能描述:Dual General Purpose Transistors
MMBT2222AE 制造商:JIANGSU 制造商全稱:Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 功能描述:TRANSISTOR
MMBT2222AF065 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 40V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
MMBT2222A-G 功能描述:射頻雙極電源晶體管 VCEO=40V IC=600mA RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
MMBT2222AG-AE3-R 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
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