參數(shù)資料
型號： MMBT200
廠商： MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 125K
代理商： MMBT200
Switching Times vs
Collector Current
10
20
30
50
100
200
300
0
30
60
90
120
150
180
210
240
270
300
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
TI
M
E
(nS)
IB1 = IB2 = Ic / 10
V
= 10 V
C
cc
t s
t d
t f
t r
Gain Bandwidth Product
vs Collector Current
110
20
50
100 150
0
10
20
30
40
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
f
-GA
IN
BA
ND
W
ID
T
H
P
RO
DU
CT
(
M
H
z
)
C
T
V
= 5V
ce
Power Dissip atio n vs
Ambient Temperature
0
25
50
75
100
125
150
0
100
200
300
400
500
600
700
TEMPER ATURE ( C)
P
-
P
O
W
E
R
DI
S
IP
AT
IO
N
(
m
W
)
D
°
MMBT200
MCC
www.mccsemi.com
Revision: 2
2003/04/30
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT200-TP 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT201-HIGH 65 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AA
MMBT2131T1 700 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2131T3 700 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2132T3 700 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBT200_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT200A 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2131T1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 700mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2131T1_06 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistors
MMBT2131T1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 700mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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