參數資料
型號： MMBT200
廠商： MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁數： 2/4頁
文件大小： 125K
代理商： MMBT200
Symbol
Parameter
Min
Max
Units
ON CHARACTERISTICS
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
(IC=10mAdc, IB=1.0mAdc)
(IC=200mAdc, IB=20mAdc)*
---
0.2
0.4
Vdc
VBE(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
(IC=10mAdc, IB=1.0mAdc)
(IC=200mAdc, IB=20mAdc)*
---
0.85
1.0
Vdc
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
fT
Current Gain-Bandwidth Product
(VCE=20Vdc, IC=20mAdc)
250
---
MHz
Cobo
Output Capacitance
(VCE=10Vdc, f=1.0MHz)
---
6.0
pF
NF
Noise Figure
(IC=100uAdc, VCE=5.0Vdc, RG=2.0KOHM, f=1.0KHz)
---
4.0
dB
*Pulse Test: Pulse Width<300us, Duty Cycle<2.0%
MMBT200
MCC
Typical Pulsed Current Gain
vs Collector Current
0.01
0.1
1
10
100
0
100
200
300
400
500
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
h
-T
Y
PI
CAL
P
U
L
SE
D
C
URRE
NT
GAI
N
C
FE
125 °C
25 °C
- 40 °C
V
= 5V
CE
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collect or Current
0.1
1
10
100
300
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
I - COLLECTOR CURRE NT (mA)
V
-
C
O
L
EC
T
O
R
EM
IT
T
E
R
VO
L
TA
G
E
(
V)
C
CE
S
A
T
25
°C
- 40
°C
125
°C
β = 10
www.mccsemi.com
Revision: 2
2003/04/30
相關PDF資料
PDF描述
MMBT200-TP 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT201-HIGH 65 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AA
MMBT2131T1 700 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2131T3 700 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2132T3 700 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數描述
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