參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT200
廠商： MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 125K
代理商： MMBT200
100
300
700
2000 4000
0
1
2
3
4
I - BASE CURRENT (uA)
V
-
C
O
LLEC
T
O
R
-E
M
ITT
ER
VO
L
T
A
G
E
(V
)
CE
B
50 mA
300 mA
100 uA
Ta = 25°C
Ic =
CE
R
Collector-Emitter Breakdown
Voltage with Resistance
Between Emitter-Base
0.1
1
10
100
1000
70
75
80
85
90
95
RESISTANCE (k )
BV
-
BRE
A
K
DOW
N
V
O
L
T
AG
E
(
V
)
Input and Output Capacitance
vs Reverse Voltage
0.1
1
10
100
10
100
V
- COLLECTOR VOLTAGE (V)
CA
P
A
CI
T
ANC
E
(
p
F
)
Cib
Cob
f = 1.0 MHz
CE
Collector-Cutoff Curre nt
vs Ambient Temperature
25
50
75
100
125
0.01
0.1
1
10
100
T - AMBIE NT TEMP ERATURE ( C)
I
-
C
O
L
LE
CT
O
R
CU
RR
E
N
T
(n
A)
A
CB
O
°
V
= 50V
CB
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.1
1
10
100
300
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
I - COLLECTOR CURRE NT (mA)
V
-
B
A
S
E
M
IT
T
E
R
V
O
L
T
A
G
E
(
V
)
C
BE
S
A
T
β = 10
25
°C
- 40
°C
125
°C
Base Emitter ON Voltage vs
Collector Current
0.1
1
10
100 200
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I - COLLECTOR CURRE NT (mA)
V
-
B
A
S
E
M
IT
T
E
R
O
N
V
O
L
T
A
G
E
(
V
)
C
BE
O
N
V
= 5V
CE
25
°C
- 40
°C
125
°C
MMBT200
MCC
www.mccsemi.com
Revision: 2
2003/04/30
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT200-TP 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT201-HIGH 65 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AA
MMBT2131T1 700 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2131T3 700 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2132T3 700 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBT200_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT200A 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2131T1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 700mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2131T1_06 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistors
MMBT2131T1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 700mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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