參數(shù)資料
型號: MMBT200
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: PNP General Purpose Amplifier
中文描述: 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù): 4/4頁
文件大?。?/td> 51K
代理商: MMBT200
P
PNP General Purpose Amplifier
(continued)
Typical Characteristics
(continued)
Gain Bandwidth Product
vs Collector Current
P 68
1
10
20
50
100 150
0
10
20
30
40
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
f
T
Vce
Switching Times vs
Collector Current
10
20
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
30
50
100
200
300
0
30
60
90
120
150
180
210
240
270
300
T
IB1 = IB2 = Ic / 10
V = 10 V
t
s
t
d
t
f
t
r
Power Dissipation vs
Ambient Temperature
0
25
50
TEMPERATURE ( C)
75
100
125
150
0
100
200
300
400
500
600
700
P
D
TO-92
SOT-23
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MMBT200A 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2131T1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 700mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2131T1_06 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistors
MMBT2131T1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 700mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2