參數(shù)資料
型號： MMBT200
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： PNP General Purpose Amplifier
中文描述： 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 51K
代理商： MMBT200
P
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage*
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cutoff Current
I
CES
Collector Cutoff Current
I
EBO
Emitter Cutoff Current
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
ON CHARACTERISTICS
h
FE
DC Current Gain
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
f
T
Current Gain - Bandwidth Product
C
obo
Output Capacitance
NF
Noise Figure
*
Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2.0%
I
C
= 10
μ
A, I
B
= 0
I
C
= 1.0 mA, I
E
= 0
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
V
CB
= 50 V, I
E
= 0
V
CE
= 40 V, I
E
= 10
V
EB
= 4.0 V, I
C
= 0
60
45
6.0
V
V
V
nA
nA
nA
50
50
50
V
CE
= 20 V, I
C
= 20 mA
V
CB
= 10 V, f = 1.0 MHz
I
C
= 100
μ
A, V
= 5.0 V,
200
R
G
= 2.0 k
, f = 1.0 kHz
200A
250
MHz
pF
dB
dB
6.0
5.0
4.0
I
C
= 100
μ
A, V
CE
= 1.0 V
200
200A
200
200A
200A
200
200A
I
C
= 10 mA, V
CE
= 1.0 V
I
C
= 100 mA, V
CE
= 1.0 V*
I
C
= 150 mA, V
CE
= 5.0 V*
80
240
100
300
100
100
100
450
600
350
V
CE(
sat
)
Collector-Emitter Saturation Voltage
I
C
= 10 mA, I
B
= 1.0 mA
I
C
= 200 mA, I
B
= 20 mA*
I
C
= 10 mA, I
B
= 1.0 mA
I
C
= 200 mA, I
B
= 20 mA*
0.2
0.4
0.85
1.0
V
V
V
V
V
BE(
sat
)
Base-Emitter Saturation Voltage
PNP General Purpose Amplifier
(continued)
Typical Characteristics
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
P 68
0.1
1
10
100
300
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
C
25 °C
- 40 oC
125 oC
β
= 10
Typical Pulsed Current Gain
vs Collector Current
0.01
0.1
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
1
10
100
0
100
200
300
400
500
h
F
125 °C
25 °C
- 40 °C
V = 5V
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