參數(shù)資料
型號(hào)： MMBFJ309LT1G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： JFET - VHF/UHF Amplifier Transistor N-Channel
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236
封裝： ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 72K
代理商： MMBFJ309LT1G
MMBFJ309LT1, MMBFJ310LT1
http://onsemi.com
3
70
60
50
40
30
20
,
ID
5.0
4.0
I
D
V
GS
, GATESOURCE VOLTAGE (VOLTS)
I
DSS
V
GS
, GATESOURCE CUTOFF VOLTAGE (VOLTS)
3.0
2.0
1.0
0
10
0
70
60
50
40
30
20
10
,
ID
Figure 1. Drain Current and Transfer
Characteristics versus GateSource Voltage
V
DS
= 10 V
I
DSS
+25
°
C
T
A
= 55
°
C
+25
°
C
+25
°
C
55
°
C
+150
°
C
+150
°
C
I
D
, DRAIN CURRENT (mA)
100 k
10 k
1.0 k
100
1.0 k
100
10
1.0
0.01
0.10.20.3 0.5 1.0 2.03.05.0
10 20 30 50 100
,
Yf
μ
,
Yo
μ
V
GS(off)
= 2.3 V =
V
GS(off)
= 5.7 V =
Figure 2. CommonSource Output
Admittance and Forward Transconductance
versus Drain Current
Y
fs
Y
fs
Y
os
V
GS
, GATE SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
6.0
7.0
8.0
9.0
10
C
10
7.0
4.0
1.0
0
120
96
72
48
24
0
,
RD
R
DS
C
gs
C
gd
Figure 3. On Resistance and Junction
Capacitance versus GateSource Voltage
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBFJ310LT1G JFET - VHF/UHF Amplifier Transistor N-Channel
MMBFU310LT1G JFET Transistor N-Channel
MMBT2132T3G General Purpose Transistors NPN Bipolar Junction Transistor
MMBT2222ALT1 General Purpose Transistors NPN Silicon(NPN型通用晶體管)
MMBT2222LT1 General Purpose Transistors NPN Silicon(NPN型通用晶體管)
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參數(shù)描述
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MMBFJ309LT1G_09 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:JFET - VHF/UHF Amplifier Transistor
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MMBFJ310_10 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel RF Amplifier
MMBFJ310_Q 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
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