參數(shù)資料
型號： MMBFJ309LT1G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： JFET - VHF/UHF Amplifier Transistor N-Channel
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236
封裝： ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大小： 72K
代理商： MMBFJ309LT1G
MMBFJ309LT1, MMBFJ310LT1
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
GateSource Breakdown Voltage
(I
G
= 1.0 Adc, V
DS
= 0)
V
(BR)GSS
25
Vdc
Gate Reverse Current (V
GS
= 15 Vdc)
Gate Reverse Current
(V
GS
= 15 Vdc, T
A
= 125
°
C)
I
GSS
1.0
1.0
nAdc
Adc
Gate Source Cutoff Voltage
(V
DS
= 10 Vdc, I
D
= 1.0 nAdc)
MMBFJ309
MMBFJ310
V
GS(off)
1.0
2.0
4.0
6.5
Vdc
ON CHARACTERISTICS
ZeroGateVoltage Drain Current
(V
DS
= 10 Vdc, V
GS
= 0)
MMBFJ309
MMBFJ310
I
DSS
12
24
30
60
mAdc
GateSource Forward Voltage
(I
G
= 1.0 mAdc, V
DS
= 0)
V
GS(f)
1.0
Vdc
SMALLSIGNAL CHARACTERISTICS
Forward Transfer Admittance
(V
DS
= 10 Vdc, I
D
= 10 mAdc, f = 1.0 kHz)
|Y
fs
|
8.0
18
mmhos
Output Admittance
(V
DS
= 10 Vdc, I
D
= 10 mAdc, f = 1.0 kHz)
|y
os
|
250
mhos
Input Capacitance
(V
GS
= 10 Vdc, V
DS
= 0 Vdc, f = 1.0 MHz)
C
iss
5.0
pF
Reverse Transfer Capacitance
(V
GS
= 10 Vdc, V
DS
= 0 Vdc, f = 1.0 MHz)
C
rss
2.5
pF
Equivalent ShortCircuit Input Noise Voltage
(V
DS
= 10 Vdc, I
D
= 10 mAdc, f = 100 Hz)
e
n
10
nV
Hz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBFJ310LT1G JFET - VHF/UHF Amplifier Transistor N-Channel
MMBFU310LT1G JFET Transistor N-Channel
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參數(shù)描述
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