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參數(shù)資料
| 型號： | MMBD6050-V-GS18 |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 二極管(射頻、小信號、開關(guān)、功率) |
| 英文描述： | 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 137K |
| 代理商： | MMBD6050-V-GS18 |
MMBD6050-V
Document Number 85735
Rev. 1.4, 12-Aug-10
Vishay Semiconductors
www.vishay.com
3
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Figure 5. Leakage Current vs. Junction Temperature
18665
1
10
100
1000
10000
02040 60 80 100 120 140 160 180 200
I
-
Leakage
C
u
rrent
(
n
A
)
R
Tj -Junction Temperature (
° C)
=20 V
VR
Figure 6. Admissible Repetitive Peak Forward Current vs. Pulse Duration
10
1
-1
100
10
1
0.1
ν
/T
T = 1/f
=t pp
I FRM
t p
T
t
I
ν =0
0.1
0.2
0.5
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
18666
I
-
Admissi
b
le
Repetiti
v
e
FRM
Peak
For
w
ard
C
u
rrent
(
A
)
tp -Pulse Length ( s )
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBD6050T/R7 | 0.2 A, 80 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD6050 | 0.2 A, 80 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD6100T/R7 | 0.2 A, 80 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD7000 | 0.15 A, 75 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD701T/R7 | 0.25 A, 70 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBD6050WS | 制造商:PANJIT 制造商全稱:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES |
| MMBD6050WS_09 | 制造商:PANJIT 制造商全稱:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES |
| MMBD6100 | 制造商:BILIN 制造商全稱:Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited 功能描述:Surface mount switching diode |
| MMBD6100_09 | 制造商:PANJIT 制造商全稱:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES |
| MMBD6100LT1 | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) 70V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
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