參數(shù)資料
型號(hào)： MMBD6050-V-GS18
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 二極管(射頻、小信號(hào)、開(kāi)關(guān)、功率)
英文描述： 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 137K
代理商： MMBD6050-V-GS18
www.vishay.com
2
Document Number 85735
Rev. 1.4, 12-Aug-10
MMBD6050-V
Vishay Semiconductors
For technical questions within your region, please contact one of the following:
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
Electrical Characteristics
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified
Typical Characteristics
Tamb = 25 °C unless otherwise specified
Parameter
Test condition
Symbol
Min
Typ.
Max
Unit
Reverse breakdown voltage
IR = 100 μAV(BR)
70
V
Forward voltage
IF = 1 mA
VF
0.55
0.7
V
IF = 100 mA
VF
0.85
1.1
V
Reverse leakage current
VR = 50 V
IR
0.1
μA
Reverse recovery time
IF = IR = 10 mA, Irr = 1 mA
trr
4ns
Diode capacitance
VR = 0
CD
2.5
pF
Figure 1. Dynamic Forward Resistance vs. Forward Current
Figure 2. Admissible Power Dissipation vs. Ambient Temperature
r
-
Dynamic
F
or
w
ard
Resistance
f
(Ω)
10
100
1
100
10
18861
IF - Forward Current (mA)
200
18889
Tamb -Ambient Temperature ( °C)
500
400
300
200
100
20 40 60 80 100 120 140 160 180
0
P
-
Admissi
b
le
Po
w
er
Dissipation
(
m
W
)
tot
Figure 3. Dynamic Forward Resistance vs. Forward Current
Figure 4. Relative Capacitance vs. Reverse Voltage
18662
1
10
100
1000
10000
r
-
Dynamic
F
or
w
ard
Resistance
f
(Ω)
110
0.1
0.01
100
IF - Forward Current (mA)
=25
°C
Tj
f=1kHz
18664
246
8
0
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
10
C
-Relati
v
e
Capacitance
(pF)
tot
VR - Reverse Voltage (V)
=25
°C
Tj
f=1MHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBD6050T/R7 0.2 A, 80 V, SILICON, SIGNAL DIODE
MMBD6050 0.2 A, 80 V, SILICON, SIGNAL DIODE
MMBD6100T/R7 0.2 A, 80 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
MMBD7000 0.15 A, 75 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
MMBD701T/R7 0.25 A, 70 V, SILICON, SIGNAL DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBD6050WS 制造商:PANJIT 制造商全稱:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES
MMBD6050WS_09 制造商:PANJIT 制造商全稱:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES
MMBD6100 制造商:BILIN 制造商全稱:Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited 功能描述:Surface mount switching diode
MMBD6100_09 制造商:PANJIT 制造商全稱:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES
MMBD6100LT1 功能描述:二極管 - 通用，功率，開(kāi)關(guān) 70V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*