參數(shù)資料
型號(hào)： MMBD2837LT3
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 二極管(射頻、小信號(hào)、開關(guān)、功率)
英文描述： 0.15 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB
封裝： CASE 318-08, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/33頁
文件大小： 308K
代理商： MMBD2837LT3
5–117
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Monolithic Dual Switching Diodes
MAXIMUM RATINGS (EACH DIODE)
Rating
Symbol
Value
Unit
Peak Reverse Voltage
VRM
75
Vdc
D.C. Reverse Voltage
MMBD2837LT1
MMBD2838LT1
VR
30
50
Vdc
Peak Forward Current
IFM
450
300
mAdc
Average Rectified Current
IO
150
100
mAdc
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Total Device Dissipation FR– 5 Board(1)
TA = 25°C
Derate above 25
°C
PD
225
1.8
mW
mW/
°C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RqJA
556
°C/W
Total Device Dissipation
Alumina Substrate,(2) TA = 25°C
Derate above 25
°C
PD
300
2.4
mW
mW/
°C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RqJA
417
°C/W
Junction and Storage Temperature
TJ, Tstg
– 55 to +150
°C
DEVICE MARKING
MMBD2837LT1 = A5; MMBD2838LT1 = MA6
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted) (EACH DIODE)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Reverse Breakdown Voltage (I(BR) = 100 Adc)
MMBD2837LT1
MMBD2838LT1
V(BR)
35
75
—
Vdc
Reverse Voltage Leakage Current
(VR = 30 Vdc)
MMBD2837LT1
(VR = 50 Vdc)
MMBD2838LT1
IR
—
0.1
Adc
Diode Capacitance (VR = 0 V, f = 1.0 MHz)
CT
—
4.0
pF
Forward Voltage (IF = 10 mAdc)
Forward Voltage (IF = 50 mAdc)
Forward Voltage (IF = 100 mAdc)
VF
—
1.0
1.2
Vdc
Reverse Recovery Time (IF = IR = 10 mAdc, IR(REC) = 1.0 mAdc) (Figure 1)
trr
—
4.0
ns
1. FR– 5 = 1.0
0.75 0.062 in.
2. Alumina = 0.4
0.3 0.024 in. 99.5% alumina.
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
MMBD2837LT1
MMBD2838LT1
1
2
3
CASE 318 – 08, STYLE 9
SOT– 23 (TO – 236AB)
3
CATHODE
2
ANODE
1
REV 1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBZ27VCL/DG TVS DIODE, TO-236AB
MMBZ18VCL/DG TVS DIODE, TO-236AB
MMBZ33VAL/DG TVS DIODE, TO-236AB
MMBZ12VAL/DG TVS DIODE, TO-236AB
MMBZ5221BW 2.4 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
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參數(shù)描述
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