參數資料
型號： MJL21194
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
中文描述： 16 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-264AA
封裝： CASE 340G-02, TO-3PBL, TO-264, 3 PIN
文件頁數： 1/6頁
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代理商： MJL21194
1
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
The MJL21193 and MJL21194 utilize Perforated Emitter technology and are
specifically designed for high power audio output, disk head positioners and linear
applications.
Total Harmonic Distortion Characterized
High DC Current Gain – hFE = 25 Min @ IC = 8 Adc
Excellent Gain Linearity
High SOA: 2.25 A, 80 V, 1 Second
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
VCBO
VEBO
VCEX
IC
250
Vdc
Collector–Base Voltage
400
Vdc
Emitter–Base Voltage
5
Vdc
Collector–Emitter Voltage – 1.5 V
400
Vdc
Collector Current — Continuous
Collector Current —
Peak (1)
16
30
Adc
Base Current – Continuous
IB
PD
5
Adc
Total Power Dissipation @ TC = 25
°
C
Derate Above 25
°
C
200
1.43
Watts
W/
°
C
Operating and Storage Junction Temperature Range
TJ, Tstg
– 65 to +150
°
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
R
θ
JC
0.7
°
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TC = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typical
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Sustaining Voltage
(IC = 100 mAdc, IB = 0)
VCEO(sus)
250
—
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCE = 200 Vdc, IB = 0)
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5.0
μ
s, Duty Cycle
≤
10%.
ICEO
—
—
100
μ
Adc
(continued)
Preferred
devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
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by MJL21193/D
16 AMPERE
COMPLEMENTARY
SILICON POWER
TRANSISTORS
250 VOLTS
200 WATTS
*Motorola Preferred Device
CASE 340G–02
TO–3PBL
相關PDF資料
PDF描述
MJL21194 16 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 250 VOLTS 200 WATTS
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MJW16110 POWER TRANSISTORS 15 AMPERES 400 VOLTS 175 AND 135 WATTS
MJW16110 NPN Silicon Power Transistors
MJW16206 POWER TRANSISTORS 12 AMPERES 1200 VOLTS - VCES 50 and 150 WATTS
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參數描述
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