參數(shù)資料
型號： MJE702
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Monolithic Construction With Built-in Base- Emitter Resistors
中文描述： 4 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 256K
代理商： MJE702
5
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 77–08
TO–225AA TYPE
ISSUE V
STYLE 1:
PIN 1.
EMITTER
COLLECTOR
BASE
2.
3.
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
–B–
U
–A–
M
K
F
C
Q
H
V
G
S
D
J
R
1
3
2
2 PL
0.25 (0.010)
M
A
M
B
M
M
A
M
0.25 (0.010)
B
M
DIM
A
B
C
D
F
G
H
J
K
M
Q
R
S
U
V
MIN
0.425
0.295
0.095
0.020
0.115
0.094 BSC
0.050
0.015
0.575
5 TYP
0.148
0.045
0.025
0.145
0.040
MAX
0.435
0.305
0.105
0.026
0.130
MIN
10.80
7.50
2.42
0.51
2.93
MAX
11.04
7.74
2.66
0.66
3.30
MILLIMETERS
INCHES
2.39 BSC
1.27
0.39
14.61
5 TYP
3.76
1.15
0.64
3.69
1.02
0.095
0.025
0.655
2.41
0.63
16.63
0.158
0.055
0.035
0.155
–––
4.01
1.39
0.88
3.93
–––
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJE703 Monolithic Construction With Built-in Base- Emitter Resistors
MJH11017 15 AMPERE DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 150, 200, 250 VOLTS 150 WATTS
MJH11017 DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
MJH11018 DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
MJH11019 DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
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參數(shù)描述
MJE702G 功能描述:達林頓晶體管 4A 80V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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MJE702T 制造商:MOSPEC 制造商全稱:Mospec Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTORS(4.0A,60-80V,40W)
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MJE703G 功能描述:達林頓晶體管 4A 80V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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