參數(shù)資料
型號(hào)： MJE702
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Monolithic Construction With Built-in Base- Emitter Resistors
中文描述： 4 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 256K
代理商： MJE702
4
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
V
V
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
PNP
MJE700, T Series
NPN
MJE800, T Series
Figure 10. DC Current Gain
Figure 11. Collector Saturation Region
Figure 12. “On” Voltages
0.04
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
300
0.06
0.2
2.0 k
800
4.0 k
h
VCE = 3.0 V
TJ = 125
°
C
3.0 k
0.1
0.6
25
°
C
–55
°
C
1.0 k
0.4
1.0
6.0 k
400
600
2.0
4.0
0.04
300
0.06
0.2
2.0 k
800
4.0 k
h600
0.1
0.6
1.0 k
0.4
1.0
6.0 k
400
2.0
4.0
3.4
IB, BASE CURRENT (mA)
2.6
2.2
1.8
1.4
0.6
0.1
0.2
0.5
10
2.0
5.0
IC =
0.5 A
1.0 A
1.0
TJ = 25
°
C
3.0
1.0
0.04
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
1.4
1.0
V
2.2
1.8
0.6
0.2
0.06
0.2
2.0
0.1
0.6
0.4
1.0
4.0
0.04
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
1.4
1.0
V
2.2
1.8
0.6
0.2
0.06
0.2
2.0
0.1
0.6
0.4
1.0
4.0
20
50
100
3.4
IB, BASE CURRENT (mA)
2.6
2.2
1.8
1.4
0.6
0.1
0.2
0.5
10
2.0
5.0
1.0
3.0
1.0
20
50
100
VBE(sat) @ IC/IB = 250
VBE @ VCE = 3.0 V
VCE(sat) @ IC/IB = 250
2.0 A
4.0 A
TJ = 25
°
C
VCE = 3.0 V
TJ = 125
°
C
25
°
C
–55
°
C
IC =
0.5 A
1.0 A
TJ = 25
°
C
2.0 A
4.0 A
VBE(sat) @ IC/IB = 250
VBE @ VCE = 3.0 V
VCE(sat) @ IC/IB = 250
TJ = 25
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJE703 Monolithic Construction With Built-in Base- Emitter Resistors
MJH11017 15 AMPERE DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 150, 200, 250 VOLTS 150 WATTS
MJH11017 DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
MJH11018 DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
MJH11019 DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
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