參數(shù)資料
型號： MJE4342
廠商： MOSPEC SEMICONDUCTOR CORP.
英文描述： POWER TRANSISTORS(16A,100-160V,125W)
中文描述： 功率晶體管（16A條,100 - 160V，功率為125）
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大小： 197K
代理商： MJE4342
5
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 340D–01
TO–218 TYPE
ISSUE A
STYLE 1:
PIN 1.
BASE
COLLECTOR
EMITTER
COLLECTOR
2.
3.
4.
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
A
D
V
G
K
S
L
U
B
Q
E
C
J
H
DIM
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
Q
S
U
V
MIN
19.00
14.00
4.20
1.00
1.45
5.21
2.60
0.40
28.50
14.70
4.00
17.50
3.40
1.50
MAX
19.60
14.50
4.70
1.30
1.65
5.72
3.00
0.60
32.00
15.30
4.25
18.10
3.80
2.00
MIN
0.749
0.551
0.165
0.040
0.058
0.206
0.103
0.016
1.123
0.579
0.158
0.689
0.134
0.060
MAX
0.771
0.570
0.185
0.051
0.064
0.225
0.118
0.023
1.259
0.602
0.167
0.712
0.149
0.078
INCHES
MILLIMETERS
1
2
3
4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
MJE4343 功能描述:兩極晶體管 - BJT 16A 160V 125W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE4343_06 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:High?Voltage  High Power Transistors
MJE4343G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 16A 160V 125W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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