參數(shù)資料
型號： MJE182
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝： PLASTIC, TO-126, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 51K
代理商： MJE182
DIM.
mm
inch
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
7.4
7.8
0.291
0.307
B
10.5
10.8
0.413
0.425
b
0.7
0.9
0.028
0.035
b1
0.40
0.65
0.015
0.025
C
2.4
2.7
0.094
0.106
c1
1.0
1.3
0.039
0.051
D
15.4
16.0
0.606
0.630
e
2.2
0.087
e3
4.4
0.173
F
3.8
0.150
G
3
3.2
0.118
0.126
H
2.54
0.100
H2
2.15
0.084
I
1.27
0.05
O
0.3
0.011
V10
o
10
o
0016114/B
SOT-32 (TO-126) MECHANICAL DATA
1: Base
2: Collector
3: Emitter
MJE172 - MJE182
3/4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJE182 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
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MJE2361T 0.5 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
MJE240LEADFREE 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
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參數(shù)描述
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MJE18206 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
MJE182G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 80V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE182STU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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