型號(hào): | MJE172 |
廠商: | SEMELAB LTD |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | 3 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
封裝: | TO-126, 3 PIN |
文件頁(yè)數(shù): | 1/1頁(yè) |
文件大小: | 0K |
代理商: | MJE172 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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MJE210T | 5 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-225 |
MJE253 | 4 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
MJE2955TJ69Z | 10000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-220 |
MJE3055TJ69Z | 10000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-220 |
MJE3439 | 0.3 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MJE172 | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR PNP -80V 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Bipolar Transistor |
MJE172_03 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
MJE172G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 80V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MJE172STU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MJE180 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |