參數(shù)資料
型號： MJD45H11T4-A
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA
封裝： ROHS COMPLIANT, TO-252, DPAK-3
文件頁數(shù)： 1/8頁
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代理商： MJD45H11T4-A
August 2009
Doc ID 16095 Rev 1
1/8
8
MJD44H11T4-A
MJD45H11T4-A
Complementary power transistors
Features
■ The devices are qualified for automotive
application
■ Low collector-emitter saturation voltage
■ Fast switching speed
■ Surface-mounting TO-252 (DPAK) power
package in tape and reel (suffix "T4")
Applications
■ Power amplifier
■ Switching circuits
Description
The devices are manufactured in low voltage multi
epitaxial planar technology. They are intended for
general purpose linear and switching applications.
.
Figure 1.
Internal schematic diagram
DPAK
TO-252
1
3
2
TAB
Table 1.
Device summary
Order codes
Marking
Polarity
Package
Packaging
MJD44H11T4-A
MJD44H11
NPN
DPAK
Tape and reel
MJD45H11T4-A
MJD45H11
PNP
DPAK
Tape and reel
相關PDF資料
PDF描述
MJD45H11-1 8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD44H11-1 8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD47-I 1 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD50-1 1 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD47-1 1 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MJD45H11T4G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD45H11T4G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTOR PNP -80V D-PAK
MJD45H11T4G-CUT TAPE 制造商:ON 功能描述:MJD Series 80 V 8 A PNP Complementary Power Transistor - TO-252
MJD45H11TF 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD45H11TF 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MULTIPLEXER IC ROHS COMPLIANT:NO
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