- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄182422 > MJD45H11T4-A (STMICROELECTRONICS) 8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MJD45H11T4-A |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, TO-252, DPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 5/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 代理商： | MJD45H11T4-A |
MJD44H11T4-A, MJD45H11T4-A
Package mechanical data
Doc ID 16095 Rev 1
5/8
3
Package mechanical data
In order to meet environmental requirements, ST offers these devices in different grades of
ECOPACK packages, depending on their level of environmental compliance. ECOPACK
specifications, grade definitions and product status are available at: www.st.com.
ECOPACK is an ST trademark.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD45H11-1 | 8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD44H11-1 | 8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD47-I | 1 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD50-1 | 1 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD47-1 | 1 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJD45H11T4G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD45H11T4G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTOR PNP -80V D-PAK |
| MJD45H11T4G-CUT TAPE | 制造商:ON 功能描述:MJD Series 80 V 8 A PNP Complementary Power Transistor - TO-252 |
| MJD45H11TF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD45H11TF | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MULTIPLEXER IC ROHS COMPLIANT:NO |
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