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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MJD42-I |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類(lèi)： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 6 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | IPAK-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 308K |
| 代理商： | MJD42-I |
MJD42/42C
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD42C-I | 6 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD42CI | 6 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD44H11I | 8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD44H11-I | 8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD44H11 | 8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJD44 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON PNP TRANSISTORS |
| MJD44E3 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱(chēng):ON Semiconductor 功能描述:Darlington Power Transistor DPAK For Surface Mount Applications 10 AMPERES 80 VOLTS, 20 WATTS |
| MJD44E3-1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱(chēng):Motorola, Inc 功能描述:NPN DARLINGTON SILICON POWER TRANSISTOR 10 AMPERES 80 VOLTS 20 WATTS |
| MJD44E3T4 | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 10A 80V 20W NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MJD44E3T4G | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 10A 80V 20W NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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