參數(shù)資料
型號： MJD350-1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 0.5 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： CASE 369-07, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 98K
代理商： MJD350-1
MJD340 MJD350
http://onsemi.com
2
Figure 1. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mAdc)
300
10
1
100
50
3
20
30
50
70
100
200
300
500
200
70
30
20
25
10
7
h FE
,DC
CURRENT
GAIN
TJ = 150°C
+25°C
VCE = 2 V
VCE = 10 V
-55°C
+100°C
TYPICAL CHARACTERISTICS
MJD340
V,
VOL
TAGE
(VOL
TS)
1
10
Figure 2. “On” Voltages
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0
20
30
50
100
200
500
0.4
0.8
0.6
0.2
300
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) @ IC/IB = 10
VBE @ VCE = 10 V
IC/IB = 5
MJD340
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PDF描述
MJD340-1 0.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD350I 0.5 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
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MJD340T4 0.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA
MJD340 0.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
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參數(shù)描述
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MJD350G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 0.5A 300V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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