參數(shù)資料
型號(hào): MJD30
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 1 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: DPAK-3
文件頁(yè)數(shù): 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 44K
代理商: MJD30
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
MJD30/
30C
Rev. A2, June 2001
Typical Characteristics
Figure 1. DC current Gain
Figure 2. Turn On Time
Figure 3. Turn Off Time
Figure 4. Safe Operating Area
Figure 5. Power Derating
-0.01
-0.1
-1
-10
1
10
100
1000
VCE = 2V
h
FE
,DC
C
URRE
NT
G
A
IN
IC[A], COLLECTOR CURRENT
-0.01
-0.1
-1
-10
0.01
0.1
1
10
tR, VCC= - 10V
tR, VCC= - 30V
tD , VBE(off)=2V
IC=10IB
t R
,t
D
[
s]
,T
UR
N
O
N
T
IM
E
IC[A], COLLECTOR CURRENT
-0.01
-0.1
-1
-10
0.01
0.1
1
10
tF, VCC= - 10V
tSTG
tF, VCC= - 30V
IC=10IB
t F
,t
ST
G
[
s
],
T
U
R
N
OFF
TI
ME
IC[A], COLLECTOR CURRENT
-1
-10
-100
-1000
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
MJD3
0
C
MJD3
0
50
0s
10
0s
1m
s
DC
I C
[A
],
CO
L
ECT
O
R
CU
RREN
T
VCE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0
25
50
75
100
125
150
175
0
5
10
15
20
P
C
[W
],
P
O
W
E
R
D
IS
S
IP
A
T
IO
N
TC[
o
C], CASE TEMPERATURE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD30C 1 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD30C-I 1 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD30-I 1 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD31C-TP 3 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD31CT4-A 3 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJD3055 功能描述:兩極晶體管 - BJT 10A 60V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD3055-1 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:SILICON POWER TRANSISTORS 10 AMPERES 60 VOLTS 20 WATTS
MJD3055G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 10A 60V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD3055T4 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Pur Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD3055T4G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 10A 60V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2