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參數(shù)資料
| 型號： | MJD2955-I |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | IPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 6/6頁 |
| 文件大小： | 175K |
| 代理商： | MJD2955-I |
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Qualification Support
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Product
MJD2955TF
2007 Fairchild Semiconductor
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Product Folder - Fairchild P/N MJD2955 - PNP Epitaxial Silicon Transistor
18-Aug-2007
mhtml:file://C:\TEMP\MJD2955TF.mht
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| MJD29C-1 | 1 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
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| MJD29-T1 | 1 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD29C-T1 | 1 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD3055-I | 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| MJD2955T4 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Gen Pur Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD2955T4 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Bipolar Transistor |
| MJD2955T4G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 10A 60V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD2955TF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD29C | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications |
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