參數(shù)資料
型號(hào)： MJD2955-I
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： IPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 175K
代理商： MJD2955-I
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, June 2001
MJD295
5
Typical Characteristics
Figure 1. DC current Gain
Figure 2. Base-Emitter Saturation Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 3. Turn On Time
Figure 4. Turn Off Time
Figure 5. Safe Operating Area
Figure 6. Power Derating
-0.01
-0.1
-1
-10
1
10
100
1000
VCE=-2V
h
FE
,DC
C
URRE
NT
G
A
IN
IC[A], COLLECTOR CURRENT
-0.1
-1
-10
-100
-0.01
-0.1
-1
-10
IC=10IB
VCE(sat)
VBE(sat)
V
BE
(s
at
),
V
CE
(s
a
t)
[V]
,SATUR
ATI
O
N
VO
L
T
AG
E
IC[A], COLLECTOR CURRENT
-0.01
-0.1
-1
-10
0.01
0.1
1
10
VCC=-30V
IC=10IB
IB1=IB2
VBE(off)=5V
tD
tR
t R
,t
D
[
s]
,T
URN
O
N
T
IME
IC[A], COLLECTOR CURRENT
-0.01
-0.1
-1
-10
0.01
0.1
1
10
tF
tSTG
VCC=-30V
IC=10IB
IB1=IB2
t F
,t
ST
G
[
s
],
TU
R
N
O
FF
TI
ME
IC[A], COLLECTOR CURRENT
-0.1
-1
-10
-100
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
DC
5m
s
1m
s
50
0s
10
0s
I C
[A],
CO
L
ECT
O
R
CUR
RENT
VCE[V], COLLECTOR EMITTER VOLTAGE
0
25
50
75
100
125
150
175
0
5
10
15
20
25
P
C
[W
],
P
O
W
E
R
DIS
S
IP
A
T
ION
TC[
o
C], CASE TEMPERATURE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD29C-1 1 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD29-1 1 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD29-T1 1 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD29C-T1 1 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD3055-I 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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MJD2955T4 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Bipolar Transistor
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MJD29C 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications
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