參數(shù)資料
型號(hào)： MJD117I
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 2 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： IPAK-3
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 81K
代理商： MJD117I
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, June 2001
MJD117
Typical Characteristics
Figure 1. DC current Gain
Figure 2. Base-Emitter Saturation Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 3. Collector Output Capacitance
Figure 4. Turn On Time
Figure 5. Turn Off Time
Figure 6. Safe Operating Area
-0.01
-0.1
-1
-10
10
100
1000
10000
VCE = - 3V
h
FE
,DC
CURRENT
G
A
IN
IC[A], COLLECTOR CURRENT
-0.01
-0.1
-1
-10
-0.01
-0.1
-1
-10
IC = 250 IB
VCE(sat)
VBE(sat)
V
BE
(s
a
t)
,V
CE
(s
a
t)
[V]
,SATU
R
ATI
O
N
VO
L
T
AG
E
IC[A], COLLECTOR CURRENT
-0.01
-0.1
-1
-10
0.1
1
10
VCC= - 30V
IC=250IB
tD
tR
t R
,t
D
(
s)
,T
U
RN
O
N
T
IME
IC[A], COLLECTOR CURRENT
-0.01
-0.1
-1
-10
0.1
1
10
VCC=30V
IC=250IB
tF
tSTG
t ST
G
,t
F
[
s
],
TU
R
N
OFF
TI
ME
IC[A], COLLECTOR CURRENT
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
1
10
100
1000
C
ob
[p
F
],
CAPACI
T
A
N
CE
VCB[V], COLLECTOR-BASE VOLTAGE
-1
-10
-100
-1000
-0.01
-0.1
-1
-10
5m
s
10
0
s
1m
s
DC
I C
[A
],
CO
LL
E
C
T
O
R
CU
RRE
N
T
VCE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
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