參數(shù)資料
型號(hào)： MJD117-1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 2 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： CASE 369-07, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大小： 146K
代理商： MJD117-1
MJD112 MJD117
http://onsemi.com
6
NPN MJD112
PNP MJD117
0.04
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.06
0.2
0
*APPLIED FOR IC/IB < hFE/3
0.1
0.6
-55°C TO 25°C
0.4
1
-4.8
24
104
VBE, BASE-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
10-1
0
-0.4
,COLLECT
OR
CURRENT
(A)
I C
103
102
101
100
+0.2 +0.4 +0.6
TJ = 150°C
100°C
REVERSE
FORWARD
25°C
VCE = 30 V
105
-0.6
-0.2
+0.8
+1 +1.2 +1.4
104
VBE, BASE-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
10-1
0
+0.4
,COLLECT
OR
CURRENT
(A)
I C
103
102
101
100
-0.2 -0.4 -0.6
105
+0.6
+0.2
-0.8
-1
-1.2 -1.4
+0.8
-4
-3.2
-2.4
-1.6
-0.8
θVC FOR VBE
25°C TO 150°C
*θVC FOR VCE(sat)
0.04
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.06
0.2
0.1
0.6
0.4
1
2
4
Figure 10. Temperature Coefficients
Figure 11. Collector Cut–Off Region
Figure 12. Darlington Schematic
BASE
EMITTER
COLLECTOR
≈ 8 k
≈ 120
PNP
BASE
EMITTER
COLLECTOR
≈ 8 k
≈ 120
NPN
0
-4.8
+0.8
-4
-3.2
-2.4
-1.6
-0.8
V,
TEMPERA
TURE
COEFFICIENTS
(mV/
C)°
θ
V,
TEMPERA
TURE
COEFFICIENTS
(mV/
C)°
θ
-55°C TO 25°C
*APPLIES FOR IC/IB < hFE/3
*θVC FOR VCE(sat)
θVB FOR VBE
25°C TO 150°C
-55°C TO 25°C
25°C TO 150°C
-55°C TO 25°C
VCE = 30 V
REVERSE
FORWARD
TJ = 150°C
100°C
25°C
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PDF描述
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