參數(shù)資料
型號(hào)： MJD117-1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 2 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： CASE 369-07, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 146K
代理商： MJD117-1
MJD112 MJD117
http://onsemi.com
5
V CE
,COLLECT
OR-EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
V CE
,COLLECT
OR-EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
NPN MJD112
PNP MJD117
Figure 7. DC Current Gain
Figure 8. Collector Saturation Region
Figure 9. “On Voltages
0.04
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
300
0.06
0.2
2 k
800
4 k
h FE
,DC
CURRENT
GAIN
VCE = 3 V
TJ = 125°C
3 k
0.1
0.6
25°C
-55°C
1 k
0.4
1
6 k
400
600
2
4
0.04
300
0.06
0.2
2 k
800
4 k
h FE
,DC
CURRENT
GAIN
3 k
0.1
0.6
25°C
-55°C
1 k
0.4
1
6 k
400
600
24
3.4
IB, BASE CURRENT (mA)
2.6
2.2
1.8
1.4
0.6
0.1 0.2
0.5
10
25
IC =
0.5 A
1 A
1
3
1
0.04
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
1.4
1
V,
VOL
TAGE
(VOL
TS)
2.2
1.8
0.6
0.2
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 250
VBE @ VCE = 3 V
VCE(sat) @ IC/IB = 250
0.06
0.2
2
0.1
0.6
0.4
1
4
0.04
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
1.4
1
V,
VOL
TAGE
(VOL
TS)
2.2
1.8
0.6
0.2
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 250
VCE(sat) @ IC/IB = 250
0.06
0.2
2
0.1
0.6
0.4
1
4
20
50
100
3.4
IB, BASE CURRENT (mA)
2.6
2.2
1.8
1.4
0.6
0.1
0.2
0.5
10
25
1
3
1
20
50
100
VBE @ VCE = 3 V
TC = 125°C
VCE = 3 V
4 A
TJ = 125°C
2 A
TJ = 125°C
IC =
0.5 A
1 A
4 A
2 A
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
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PDF描述
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