參數(shù)資料
型號： MJD112T4
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 2 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
封裝： DPAK-3
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大小： 382K
代理商： MJD112T4
MJD112, MJD117
Electrical characteristics
Doc ID 3540 Rev 3
3/10
2
Electrical characteristics
Tcase = 25 °C; unless otherwise specified.
Note:
For PNP types voltage and current values are negative.
Table 4.
Electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
ICEV
Collector cut-off current
(VBE = -1.5 V)
VCE = 80 V
VCE = 80 V, Tc = 125 °C
-
10
0.5
A
mA
ICBO
Collector cut-off current
(IE = 0)
VCB = 80 V
VCB = 100 V
-
10
20
A
ICEO
Collector cut-off current
(IB = 0)
VCE = 50 V
-
20
A
IEBO
Emitter cut-off current
(IC = 0)
VEB = 5 V
-
2
mA
VCEO(sus)
(1)
1.
Pulse test: pulse duration
≤ 300 s, duty cycle ≤ 2 %
Collector-emitter
sustaining voltage (IB = 0)
IC = 30 mA
100
-
V
VCE(sat)
(1)
Collector-emitter saturation
voltage
IC = 2 A
IB = 8 mA
-
2
V
IC = 4 A
IB = 40 mA
-
3
VBE(sat)
(1)
Base-emitter saturation
voltage
IC = 4 A
IB = 40 mA
-
4
V
VBE(on)
Base-emitter on voltage
IC = 2 A
VCE = 3 V
-
2.8
V
hFE
(1)
DC current gain
IC = 0.5 A_ _ VCE = 3 V
500
-
IC = 2 A_
VCE = 3 V
1000
-
12000
IC = 4 A_ _
VCE = 3 V
200
-
fT
Transition frequency
IC = 0.75 A_
VCE = 10 V
f = 1 MHz
25
-
MHz
CCBO
Collector base capacitance
(IE = 0)
VCB = 10 V
f = 0.1 MHz
for MJD112
for MJD117
-
100
200
pF
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PDF描述
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MJD117 2 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
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MJD117-1 2 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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