參數(shù)資料
型號： MJD112-I
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 2 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： IPAK-3
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 51K
代理商： MJD112-I
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, June 2001
MJD112
Typical Characteristics (Continued)
Figure 7. Power Derating
0
25
50
75
100
125
150
175
0
5
10
15
20
25
P
C
[W
],
P
O
W
E
R
D
IS
S
IP
A
T
IO
N
TC[
o
C], CASE TEMPERATURE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD112-T1 2 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD112-1 2 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD112-TP 2000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MJD112T4 2 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
MJD117T4 2 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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MJD112RLG 功能描述:達(dá)林頓晶體管 2A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD112T4 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Power Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD112T4 制造商:STMicroelectronics 功能描述:DARLINGTON TRANSISTOR NPN 100V TO-252 制造商:STMicroelectronics 功能描述:DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 100V, TO-252
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