參數(shù)資料
型號： MJD112-I
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 2 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： IPAK-3
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 51K
代理商： MJD112-I
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
MJD112
Rev. A2, June 2001
Typical Characteristics
Figure 1. DC current Gain
Figure 2. Base-Emitter Saturation Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 3. Collector Output Capacitance
Figure 4. Turn On Time
Figure 5. Turn Off Time
Figure 6. Safe Operating Area
0.01
0.1
1
10
100
1000
10000
VCE = 3V
h
FE
,DC
CURRE
NT
G
A
IN
IC[A], COLLECTOR CURRENT
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
IC = 250 IB
VCE(sat)
VBE(sat)
V
BE
(s
a
t)
,V
CE
(s
a
t)
[V]
,SA
TURATI
O
N
VO
L
T
AG
E
IC[A], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
10
100
1
10
100
1000
C
ob
[p
F
],
CAPACI
T
A
N
CE
VCB[V], COLLECTOR-BASE VOLTAGE
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
V
CC=30V
I
C=250IB
t
D
t
R
t R
,t
D
[
s
],
T
U
R
N
O
N
T
IM
E
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
V
CC=30V
I
C=250IB
t
F
t
STG
t ST
G
,t
F
[
s
],
TU
R
N
O
F
TI
M
E
I
C[A], COLLECTOR CURRENT
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
5m
s
100
s
1m
s
DC
I C
[A
],
CO
L
E
CT
O
R
CURR
E
N
T
VCE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
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PDF描述
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