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參數資料
| 型號： | MGF0952P |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET |
| 封裝： | PLASTIC, LEADLESS PACKAGE-3 |
| 文件頁數： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 56K |
| 代理商： | MGF0952P |
(3/6)
Mitsubishi Electric
June/2004
MGF0952P TYPICAL CHARACTERISTICS
IM3, IM5 vs. Po
-65
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
-25
-20
20
25
30
35
Po(Total) (dBm)
IM3,
IM5
(dBc)
VD=10V
Idq=0.7A
f1=2.15GHz
f2=2.16GHz
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| MGF1323 | KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET |
| MGFC45V2527 | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| MGF0953P | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:High-power GaAs FET (small signal gain stage) |
| MGF0953P_11 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:High-power GaAs FET (small signal gain stage) |
| MGF100-30 | 制造商:SMC Corporation of America 功能描述:CYL, GUIDE 100MM BORE |
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