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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MGD623N |
| 廠商： | SANKEN ELECTRIC CO LTD |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | TO-3P, PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/10頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | MGD623N |
IGBT
MGD623N
July, 2009
Sanken Electric Co.,Ltd.
T04-002EA-090721
http://www.sanken-ele.co.jp/en/
Electrical characteristics
●IGBT
(Ta=25°C)
Limits
Characteristic
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Collector to Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CES
IC=100μA, VGE=0V
600
V
Gate to Emitter Leakage Current
IGES
VGE=±30V
±500
nA
Collector to Emitter Leakage Current
ICES
VCE=600V, VGE=0V
100
μA
Gate Threshold Voltage
VGE(th)
VCE=10V, IC=1mA
3
6
V
Collector to Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
VGE=15V, IC=50A
1.7
2.3
V
Input Capacitance
Cies
2500
Output Capacitance
Coes
150
Reverse Transfer Capacitance
Cres
VDS=20V
VGS=0V
f=1MHz
80
pF
Turn-On Delay Time
td(on)
75
Rise Time
tr
100
Turn-Off Delay Time
td(off)
300
Fall Time
tf
Inductive Load
IC=50A
VCC=300V
VGS=15V，Rg=39
See Fig.1
200
ns
●Di
(Ta=25°C)
Limits
Characteristic
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Forward Voltage
VF
IF=30A
1.2
1.6
V
Reverse Recovery Time
trr
IF=30A
di/dt=100A/μs
0.3
μs
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| MGF0912A | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MGD623S | 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:IGBT 600V 50A 150W TO3P |
| MGDA453A1A | 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述: |
| MGDB-10-C-C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Hi-Rel DC/DC CONVERTER 10W POWER |
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| MGDB-10-C-C/T | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Hi-Rel DC/DC CONVERTER 10W POWER |
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