參數(shù)資料
型號(hào)： MG800J1US52A
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 800 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-7
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大?。?/td> 119K
代理商： MG800J1US52A
Dec.2005
MITSUBISHI IGBT MODULES
MG800J1US52A
HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS
MOTOR CONTROL APPLICATIONS
PERFORMANCE CURVES
1600
1200
400
800
0
02
3
4
5
1
1600
1200
800
400
0
02
5
4
3
1
10
8
6
4
2
0
20
048
12
16
9
10
15
10
8
6
4
2
0
20
04
8
12
16
1600
1200
400
800
0
04
6
8
10
12
14
2
1600
1200
400
800
0
02
3
4
5
1
10
9
12
15
VGE =
20V
VGE =
20V
12
IC = 400A
800A
1600A
Tj = 25°C
125°C
Tj = 25°C
125°C
IC = 400A
800A
1600A
IC - VCE
COLLECTOR
CURRENT
I
C
(A)
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VCE (V)
IC - VCE
COLLECTOR
CURRENT
I
C
(A)
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VCE (V)
VCE - VGE
COLLECTOR-EMITTER
VOLTAGE
V
CE
(V)
GATE-EMITTER VOLTAGE VGE (V)
VCE - VGE
COLLECTOR-EMITTER
VOLTAGE
V
CE
(V)
IC - VGE
COLLECTOR
CURRENT
I
C
(A)
GATE-EMITTER VOLTAGE VGE (V)
IF - VF
FORWARD
CURRENT
I
F
(A)
FORWARD VOLTAGE VF (V)
Common emitter
Tj = 25°C
Common emitter
Tj = 125°C
Common emitter
Tj = 25°C
Common emitter
Tj = 125°C
Common emitter
VCE = 5V
Common cathode
VGE = 0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MG800J2YS50A 800 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
MG800J2YS50A 800 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
MG8N6ES42 8 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT
MG50J6ES45 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
MG15N6ES42 15 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MG800J2YS50A 功能描述:IGBT MOD CMPCT 600V 800A RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
MG80186-6/B 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:
MG80186-6/BZA 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:
MG80186-8 制造商:Intel 功能描述: 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:
MG80186-8/B 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:
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