參數(shù)資料
型號： MG800J1US52A
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 800 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-7
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大?。?/td> 119K
代理商： MG800J1US52A
Dec.2005
MITSUBISHI IGBT MODULES
MG800J1US52A
HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS
MOTOR CONTROL APPLICATIONS
<VCE(sat) Rank>
Rank symbol
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
MIN.
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
2.0
2.1
2.2
2.3
2.4
MAX.
1.8
1.9
2.0
2.1
2.2
2.3
2.4
2.5
2.6
2.7
Rank symbol
B
C
D
E
F
G
H
MIN.
1.5
1.7
1.9
2.1
2.3
2.5
2.7
MAX.
1.8
2.0
2.2
2.4
2.6
2.8
3.0
<Mark position>
Serial No.
MG800J1US52
T52AA1
JAPAN
SEN
G
C
E
C
E
22E
000001
VCE(sat), VF Rank
Lot No.
<VF Rank>
VCE(sat)
VF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MG800J2YS50A 800 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
MG800J2YS50A 800 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
MG8N6ES42 8 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT
MG50J6ES45 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
MG15N6ES42 15 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MG800J2YS50A 功能描述:IGBT MOD CMPCT 600V 800A RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
MG80186-6/B 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:
MG80186-6/BZA 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:
MG80186-8 制造商:Intel 功能描述: 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:
MG80186-8/B 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:
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