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參數(shù)資料
| 型號： | MG800J1US52A |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 800 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-7 |
| 文件頁數(shù)： | 3/7頁 |
| 文件大小： | 119K |
| 代理商： | MG800J1US52A |
Dec.2005
MITSUBISHI IGBT MODULES
MG800J1US52A
HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS
MOTOR CONTROL APPLICATIONS
Note 1: Switching time and reverse recovery time test circuit and timing chart
Switching time test circuit
Timing chart
Note 2: Sense start current and sense voltage test circuit
Test circuit
*Measurement in the complete charge period.
Timing chart
VCC
L
IF
RG
IC
–VGE
10%
td(on)
IC
VGE
Irr
90% Irr
90%
10%
20% Irr
trr
td(off)
tf
10%
IC
15V
VSE
330
Inductance
VSEN
14.8V
3000A
VSE
15V
IC
IC(SEN-START)
VGE
Complete charge period
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MG800J2YS50A | 800 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG800J2YS50A | 800 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG8N6ES42 | 8 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG50J6ES45 | 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG15N6ES42 | 15 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MG800J2YS50A | 功能描述:IGBT MOD CMPCT 600V 800A RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| MG80186-6/B | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: |
| MG80186-6/BZA | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: |
| MG80186-8 | 制造商:Intel 功能描述: 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: |
| MG80186-8/B | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: |
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