參數(shù)資料
型號： MG600Q1US59A
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-7
文件頁數(shù)： 7/7頁
文件大小： 122K
代理商： MG600Q1US59A
Dec.2005
MITSUBISHI IGBT MODULES
MG600Q1US59A
HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS
MOTOR CONTROL APPLICATIONS
TC = 25
°C
102
7
5
3
2
7
5
3
2
101
100
08
12
16
4
Tj = 25
°C
Tj = 125
°C
Common emitter
VCC = 600V
IC = 600A
VGE =
±15V
102
7
5
3
2
7
5
3
2
101
100
0
200
300
400
500
600
100
Tj = 25
°C
Tj = 125
°C
Common emitter
VCC = 600V
RG = 2
VGE =
±15V
1000
0
20
800
16
600
12
400
8
200
4
0
7000
1000 2000 3000 4000 5000 6000
Common emitter
RL = 1
Tj = 25
°C
VGE = 0V
f = 1MHz
TC = 25
°C
106
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
105
104
103
102
100
23
5 7
23
5 7
101
102
Cies
Cres
Coes
100
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
10-3
10-2
10-1
10-3 23 5 7
10-1
100
101
10-2 23 5 7
23 5 7
Edsw - RG
1000
VCE, VGE - QG
COLLECTOR-EMITTER
VOLTAGE
V
CE
(V)
GATE-EMITTER
VOLTAGE
V
GE
(V)
CHARGE QG (nC)
C - VCE
CAPACITANCE
C
(pF)
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VCE (V)
Rth - tW
TRANSIENT
THERMAL
RESISTANCE
R
th(j-c)
(
°C/W)
PULSE WIDTH tW (s)
REVERSE
RECOVERY
LOSS
E
dsw
(mJ)
GATE RESISTANCE RG (
)
Edsw - IF
REVERSE
RECOVERY
LOSS
E
dsw
(mJ)
FORWARD CURRENT IF (A)
DIODE STAGE
TRANSISTOR STAGE
400
200
600
VCE =0V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MG75H2YS1 75 A, 500 V, N-CHANNEL IGBT
MG75J1ZS40 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
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