參數(shù)資料
型號(hào)： MG600Q1US59A
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-7
文件頁(yè)數(shù)： 2/7頁(yè)
文件大?。?/td> 122K
代理商： MG600Q1US59A
Dec.2005
Gate leakage current
Collector cut-off current
Gate-emitter cut-off voltage
Collector-emitter saturation voltage
Input capacitance
Switching
time
Forward voltage
Reverse recovery time
Sense
Thermal resistance
IGES
ICES
VGE(off)
VCE(sat)
Cies
td(on)
tr
ton
td(off)
tf
toff
VF
trr
ISES
IC(SEN-START)
VSEN
Rth(j-c)
VGE = ±20V, VCE = 0
VCE = 1200V, VGE = 0
IC = 600mA, VCE = 5V
IC = 600A, Tj = 25°C
VCE = 10V, VGE = 0, f = 1MHz
Inductive load
VCC = 600V
IC = 600A
VGE = ±15V
RG = 2
(Note 1)
IF = 600A, VGE = 0
IF = 600A, VGE = –15V, di/dt = 300A/s
(Note 1)
VSEN – E = 40V, VCE = 0, VGE = 0
VGE = 15V, VSE = 14.8V
(Note 2)
VGE = 15V, IC = 2400A
(Note 2)
Transistor stage
Diode stage
1200
±20
40
600
1200
600
1200
2750
150
–40 ~ 125
2500 (AC 1 minute)
2/3
3
TC = 25°C
MITSUBISHI IGBT MODULES
MG600Q1US59A
HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS
MOTOR CONTROL APPLICATIONS
MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)
Symbol
Parameter
Collector-emitter voltage
Gate-emitter voltage
Sense-emitter voltage
Collector
current
Forward
current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Isolation voltage
Screw
torque
Conditions
Unit
Ratings
V
A
W
°C
V
N m
VCES
VGES
VSES
IC
ICP
IF
IFM
PC
Tj
Tstg
Vlsol
—
±500
1.0
7.0
3.5
—
0.3
—
3.2
0.5
200
—
13.2
0.045
0.125
nA
mA
V
pF
s
V
s
nA
A
V
°C/W
—
2.5
100000
0.2
0.1
0.3
1.15
0.15
1.3
2.3
—
4.0
—
1050
—
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25°C)
Symbol
Parameter
Test conditions
Limits
Min.
Typ.
Max.
Unit
DC
1ms
DC
1ms
Terminal (M4/M6)
Mounting
Turn-on delay time
Rise time
Turn-on time
Turn-off delay time
Fall time
Turn-off time
Sense leakage current
Sense start current
Sense voltage
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MG75H2YS1 75 A, 500 V, N-CHANNEL IGBT
MG75J1ZS40 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
MG75J1ZS50 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
MG75J6ES50 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
MG75N1AS1 75 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MG600Q1US61 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT
MG600Q2YS60A 功能描述:IGBT MOD CMPCT 1200V 600A RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
MG601 制造商:Thomas & Betts 功能描述:GUIDE PIN,ALL PKON SERIES
MG61D 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全稱:Micro Electronics 功能描述:SOLID STATE INDICATORS ARE ENCAPSULATED IN RECTANGULAR EPOXY PACKAGE
MG6330 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:TRANSAUDIONPN230V15ATO-3P 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:TRANS,AUDIO,NPN,230V,15A,TO-3P 制造商:SEMELAB 功能描述:TRANS,AUDIO,NPN,230V,15A,TO-3P; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:230V; Transition Frequency Typ ft:60MHz; Power Dissipation Pd:200W; DC Collector Current:15A; DC Current Gain hFE:70; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*