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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MG150J7KS60 |
| 元件分類(lèi)： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | 2-108G1B, 26 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/7頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 181K |
| 代理商： | MG150J7KS60 |
MG150J7KS60
2004-02-17
4
2.
Brake stage
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Gate leakage current
IGES
VGE = ±20 V, VCE = 0
±500
nA
Collector cut-off current
ICES
VCE = 600 V, VGE = 0
1.0
mA
Gate-emitter cut-off voltage
VGE (off)
VCE = 5 V, IC = 75 mA
5.0
6.5
8.0
V
Tj = 25°C
1.6
2.2
Collector-emitter saturation voltage
VCE (sat)
VGE = 15 V,
IC = 75 A
Tj = 125°C
2.2
V
Input capacitance
Cies
VCE = 10 V, VGE = 0, f = 1MHz
12000
pF
Turn-on delay time
td (on)
1.00
Turn-off time
toff
1.20
Switching time
Fall time
tf
VCC = 300 V, IC = 75 A
VGE = ±15 V, RG = 24
(Note 1)
0.50
s
Reverse current
IR
VR = 600 V
1.0
mA
Forward voltage
VF
IF = 75 A
2.1
2.6
V
Note 1: Switching time test circuit & timing chart
3.
Module (Tc = 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Zero-power resistance
R25
ITM
= 0.2 mA
100
k
B value
B25/85
Tc
= 25°C/Tc = 85°C
4390
K
Inverter IGBT stage
0.167
Inverter FRD stage
0.313
Brake IGBT stage
0.333
Junction to case thermal resistance
Rth (j-c)
Brake FRD stage
1.000
°C/W
Case to fin thermal resistance
Rth (c-f)
0.05
°C/W
Switching Time Test Circuit & Timing Chart
Recommneded conditions for application
Characteristics
Symbol
Min
Typ.
Max
Unit
P-N power terminal supply voltage
VCC
300
400
V
Gate voltage
VGE
13.5
15
16.5
V
Switching frequency
fc
20
kHz
RG
VCC
VGE
td (on)
td (off)
trr
90%
10%
tf
IC
VGE
10%
Irr
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MG150Q2YK1 | 150 A, 900 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MG150Q2YS50 | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG150Q2YS51 | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG150Q2YS65H | 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG15H4GM1 | 15 A, 500 V, 0.4 ohm, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MG150J7KS61 | 功能描述:IGBT MOD CMPCT 600V 150A RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| MG150M2YK1 | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
| MG150M2YL1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR MODULES |
| MG150N2YK1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR MODULES |
| MG150N2YL1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR MODULES |
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