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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MG150J7KS60 |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | 2-108G1B, 26 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/7頁(yè) |
| 文件大小： | 181K |
| 代理商： | MG150J7KS60 |
MG150J7KS60
2004-02-17
3
Maximum Ratings (Ta
= 25°C)
Stage
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-emitter voltage
VCES
600
V
Gate-emitter voltage
VGES
±20
V
DC
IC
150
Collector current
1 ms
ICP
300
A
DC
IF
150
Forward current
1 ms
IFM
300
A
Inverter
Collector power dissipation (Tc
= 25°C)
PC
750
W
Collector-emitter voltage
VCES
600
V
Gate-emitter voltage
VGES
±20
V
DC
IC
75
Collector current
1 ms
ICP
150
A
Collector power dissipation (Tc
= 25°C)
PC
375
W
Reverse voltage
VR
600
V
DC
IF
75
Brake
Forward current
1 ms
IFM
150
A
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
40~125
°C
Isolation voltage
Visol
2500 (AC 1 min)
V
Terminal
2 (M4)
Module
Screw torque
Mounting
3 (M5)
Nm
Electrical Characteristics (Tj = 25°C)
1.
Inverter stage
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Gate leakage current
IGES
VGE = ±20 V, VCE = 0
±500
nA
Collector cut-off current
ICES
VCE = 600 V, VGE = 0
1.0
mA
Gate-emitter cut-off voltage
VGE (off)
VCE = 5 V, IC = 150 mA
5.0
6.5
8.0
V
Tj = 25°C
1.6
2.2
Collector-emitter saturation voltage
VCE (sat)
VGE = 15 V,
IC = 150 A
Tj = 125°C
2.2
V
Input capacitance
Cies
VCE = 10 V, VGE = 0, f = 1 MHz
25000
pF
Turn-on delay time
td (on)
1.00
Turn-off time
toff
1.20
Switching time
Fall time
tf
0.50
Reverse recovery time
trr
VCC = 300 V, IC = 150 A
VGE = ±15 V, RG = 15
(Note 1)
0.30
s
Forward voltage
VF
IF = 150 A
2.0
2.2
V
Note 1: Switching time test circuit & timing chart
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| MG150N2YK1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR MODULES |
| MG150N2YL1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR MODULES |
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