參數(shù)資料
型號(hào)： MG150J7KS60
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： 2-108G1B, 26 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/7頁(yè)
文件大小： 181K
代理商： MG150J7KS60
MG150J7KS60
2004-02-17
1
TOSHIBA IGBT Module
Silicon N Channel IGBT
MG150J7KS60 (600V/150A 7in1)
High Power Switching Applications
Motor Control Applications
Integrates inverter and brake power circuit into a single package
The electrodes are isolated from case.
Low thermal resistance
VCE (sat) = 1.6 V (typ.)
Equivalent Circuit
Signal Terminal
1.
Open
2.
Open
3.
G (U)
4.
E (U)
5.
Open
6.
Open
7.
G (V)
8.
E (V)
9.
Open
10. Open
11. G (W)
12. E (W)
13. Open
14. TH1
15. TH2
16. G (B)
17. G (X)
18. G (Y)
19. G (Z)
20. E (L)
P
14
15
B
N
16
20
17
4
3
18
8
7
19
12
11
U
V
W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MG150Q2YK1 150 A, 900 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MG150Q2YS50 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MG150Q2YS51 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MG150Q2YS65H 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MG15H4GM1 15 A, 500 V, 0.4 ohm, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MG150J7KS61 功能描述:IGBT MOD CMPCT 600V 150A RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
MG150M2YK1 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module
MG150M2YL1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR MODULES
MG150N2YK1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR MODULES
MG150N2YL1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR MODULES
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