參數(shù)資料
型號(hào): MG150J2YS50
元件分類(lèi): IGBT 晶體管
英文描述: 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: 2-95A1A, 7 PIN
文件頁(yè)數(shù): 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 456K
代理商: MG150J2YS50
MG150J2YS50
2001-02-22 3/5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MG150J7KS60 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
MG150Q2YK1 150 A, 900 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MG150Q2YS50 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MG150Q2YS51 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MG150Q2YS65H 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MG150J7KS50 制造商:TOSHIBA 制造商全稱(chēng):Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT
MG150J7KS60 制造商:TOSHIBA 制造商全稱(chēng):Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA GTR MODULE SILICON N CHANNEL IGBT
MG150J7KS61 功能描述:IGBT MOD CMPCT 600V 150A RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開(kāi)):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
MG150M2YK1 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module
MG150M2YL1 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR MODULES