參數(shù)資料
型號： MCIMX27VJP4A
廠商： Freescale Semiconductor
文件頁數(shù)： 93/152頁
文件大小： 0K
描述： MPU IMX27 404-MAPBGA
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 90
系列： i.MX27
核心處理器： ARM9
芯體尺寸： 32-位
速度： 400MHz
連通性： 1 線，CAN，EBI/EMI，以太網(wǎng)，I²C，MMC，智能卡，SPI，SSI，UART/USART，USB OTG
外圍設(shè)備： DMA，LCD，POR，PWM，WDT
程序存儲器類型： ROMless
RAM 容量： 45K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 1.38 V ~ 1.52 V
振蕩器型： 外部
工作溫度： -20°C ~ 85°C
封裝/外殼： 404-LFBGA
包裝： 托盤
i.MX27 and i.MX27L Data Sheet, Rev. 1.8
Freescale Semiconductor
45
Electrical Characteristics
4.2.1.2
AC Electrical Characteristics
Figure 2 depicts the load circuit for output pads. Figure 3 depicts the output pad transition time waveform.
The range of operating conditions appear in Table 14 for slow general I/O, Table 15 for fast general I/O,
and Table 16 for DDR I/O (unless otherwise noted).
Figure 2. Load Circuit for Output Pad
Figure 3. Output Pad Transition Time Waveform
Table 13. DDR (Double Data Rate) I/O Pads DC Electrical Parameters
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typical
Max
Units
High-level output voltage
VOH
IOH = -1 mA
NVDD_DDR
–0.08
——
V
IOH = specified Drive
0.8*NVDD_
DDR
——
V
Low-level output voltage
VOL
IOL = 1 mA
—
0.08
V
IOL = specified Drive
—
0.2*NVDD_
DDR
V
High-level output current
IOH
VOH=0.8*NVDD_DDR
Normal
High
Max High1
DDR Drive1
1 Max High and DDR Drive strengths should be avoided due to excessive overshoot and ringing.
–3.6
–7.2
–10.8
–14.4
——
mA
Low-level output current
IOL
VOL=0.2*NVDD_DDR
Normal
High
Max High1
DDR Drive1
3.6
7.2
10.8
14.4
——
mA
Low-level input current
IIL
VI = 0
—
1.7
2
μA
High-level input current
IIH
VI = NVDD_DDR
—2
μA
Tri-state current
IZ
VI = NVDD_DDR or 0
I/O = high Z
—1.7
2
μA
Note:
Test Point
From Output
Under Test
CL
CL includes package, probe and jig capacitance
0 V
NVDD
20%
80%
20%
PA1
Output (at pad)
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