參數(shù)資料
型號(hào)： MCIMX27VJP4A
廠商： Freescale Semiconductor
文件頁數(shù)： 132/152頁
文件大?。?/td> 0K
描述： MPU IMX27 404-MAPBGA
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 90
系列： i.MX27
核心處理器： ARM9
芯體尺寸： 32-位
速度： 400MHz
連通性： 1 線，CAN，EBI/EMI，以太網(wǎng)，I²C，MMC，智能卡，SPI，SSI，UART/USART，USB OTG
外圍設(shè)備： DMA，LCD，POR，PWM，WDT
程序存儲(chǔ)器類型： ROMless
RAM 容量： 45K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 1.38 V ~ 1.52 V
振蕩器型： 外部
工作溫度： -20°C ~ 85°C
封裝/外殼： 404-LFBGA
包裝： 托盤
i.MX27 and i.MX27L Data Sheet, Rev. 1.8
80
Freescale Semiconductor
Electrical Characteristics
Figure 42. Mobile DDR SDRAM DQ versus DQS and SDCLK Read Cycle Timing Diagram
NOTE
SDRAM CLK and DQS related parameters are being measured from the
50% point—that is, high is defined as 50% of signal value and low is
defined as 50% of signal value.
The timing parameters are similar to the ones used in SDRAM data
sheets—that is, Table 42 indicates SDRAM requirements. All output signals
are driven by the ESDCTL at the negative edge of SDCLK and the
parameters are measured at maximum memory frequency.
4.3.9.1
SDHC Electrical DC Characteristics
Table 43 lists the SDHC electrical DC characteristics.
Table 42. Mobile DDR SDRAM Read Cycle Timing Parameters
ID
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
SD21 DQS–DQ Skew (defines the Data valid window in read cycles related to DQS).
tDQSQ
—
0.85
ns
SD22 DQS DQ HOLD time from DQS
tQH
2.3
—
ns
SD23 DQS output access time from SDCLK posedge
tDQSCK
—
6.7
ns
Table 43. SDHC Electrical DC Characteristics
ID
Parameter
Min
Max
Unit
Comments
General
SD10
Peak Voltage on All Lines
–0.3
VDD + 0.3
V
—
All Inputs
SD11
Input Leakage Current
–10
10
μA—
All Outputs
SD12
Output Leakage Current
–10
10
μA—
Power Supply
SDCLK
DQS (input)
DQ (input)
Data
SD23
SD21
SD22
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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