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參數(shù)資料
| 型號： | MCH6344TL |
| 廠商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | HALOGEN FREE, MCPH6, SC-88, 6 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 342K |
| 代理商： | MCH6344TL |
MCH6344
No.8934-2/4
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
min
typ
max
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V(BR)DSS
ID=--1mA, VGS=0V
--30
V
Zero-Gate Voltage Drain Current
IDSS
VDS=--30V, VGS=0V
--1
μA
Gate-to-Source Leakage Current
IGSS
VGS=±16V, VDS=0V
±10
μA
Cutoff Voltage
VGS(off)
VDS=--10V, ID=--1mA
--1.2
--2.6
V
Forward Transfer Admittance
| yfs |
VDS=--10V, ID=--1A
1.9
S
Static Drain-to-Source On-State Resistance
RDS(on)1
ID=--1A, VGS=--10V
115
150
mΩ
RDS(on)2
ID=--0.5A, VGS=--4.5V
182
255
mΩ
RDS(on)3
ID=--0.5A, VGS=--4V
208
292
mΩ
Input Capacitance
Ciss
VDS=--10V, f=1MHz
172
pF
Output Capacitance
Coss
VDS=--10V, f=1MHz
51
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
VDS=--10V, f=1MHz
36
pF
Turn-ON Delay Time
td(on)
See specied Test Circuit.
4.5
ns
Rise Time
tr
See specied Test Circuit.
4.2
ns
Turn-OFF Delay Time
td(off)
See specied Test Circuit.
20
ns
Fall Time
tf
See specied Test Circuit.
10.6
ns
Total Gate Charge
Qg
VDS=--15V, VGS=--10V, ID=--2A
3.9
nC
Gate-to-Source Charge
Qgs
VDS=--15V, VGS=--10V, ID=--2A
0.6
nC
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Qgd
VDS=--15V, VGS=--10V, ID=--2A
0.8
nC
Diode Forward Voltage
VSD
IS=--2A, VGS=0V
--0.86
--1.5
V
Switching Time Test Circuit
PW=10μs
D.C.≤1%
P.G
50Ω
G
S
D
ID= --1A
RL=15Ω
VDD= --15V
VOUT
VIN
0V
--10V
VIN
MCH6344
ID -- VDS
ID -- VGS
Drain
Current,
I
D
--
A
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Drain
Current,
I
D
--
A
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
0
--2.0
--1.6
--0.4
--1.2
--0.8
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--0.1
--0.3
--0.5
--0.7
--0.9
IT16039
--4.5V
--6.0V
--10.0V
VGS
= --3.0V
--8.0V
--4.0V
--0.4
--0.2
--0.6
0
--2.0
--1.6
--1.4
--1.8
--0.8
--1.2
--1.0
0
--1.0
--0.5
--1.5
--4.5
--2.5
--2.0
--3.5
--3.0
--4.0
--25
°C
IT16078
T
a=75
°C
VDS= --10V
25
°C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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