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參數(shù)資料
| 型號： | MCH6307 |
| 廠商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 5 A, 12 V, 0.046 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | MCPH6, 6 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 29K |
| 代理商： | MCH6307 |
MCH6307
No.7080-3/4
0
--1.0
--1.5
--0.5
--2.0
--2.5
--3.0
--3.5
12
68
10
24
--4.0
--4.5
IT03873
0
20
40
0.5
60
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80
100
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IT03875
2
3
5
7
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--0.1
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23
5 7
23
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2
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23
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--10
IT03874
10
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2
3
57
2
3
57
1000
100
7
5
3
2
7
5
3
2
--10
VDD= --6V
VGS= --4.5V
td(on)
td(off)
t r
tf
IT03871
0
100
--2
1000
--4
--6
2
7
5
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--8
--12
--10
f=1MHz
Ciss
Coss
Crss
IT03872
IT03869
--0.01
0.1
--0.1
23
5
7
--1.0
23
5
7
2
3
5
7
10
1.0
7
5
3
2
7
5
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2
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2
--10
IT03870
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--0.01
--0.1
--10
--1.0
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
VGS=0
--25
°C
25
°C
T
a=75
°C
IDP= --20A
ID= --5A
VDS= --6V
75
°C
Ta=
--25
°C
25°
C
VDS= --6V
ID= --5A
100ms
DC
operation
1ms
10ms
Operation in this
area is limited by RDS(on).
<10
s
0
20
40
0.5
60
1.0
80
100
120
1.5
2.5
2.0
140
160
IT03876
yfs -- ID
Drain Current, ID -- A
F
orw
ard
T
ransfer
Admittance,
y
fs
-
S
IF -- VSD
Diode Forward Voltage, VSD -- V
F
orw
ard
Current,
I
F
--
A
SW Time -- ID
Drain Current, ID -- A
Switching
T
ime,
SW
T
ime
-
ns
Ciss, Coss, Crss -- VDS
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Ciss,
Coss,
Crss
-
pF
VGS -- Qg
Total Gate Charge, Qg -- nC
Gate-to-Source
V
oltage,
V
GS
--
V
A S O
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Drain
Current,
I
D
-
A
Ta=25
°C
Single pulse
Mounted on a ceramic board(900mm2!0.8mm)
PD -- Ta
Ambient Temperature, Ta --
°C
Allo
w
able
Po
wer
Dissipation,
P
D
--
W
Mounted
on
a ceramic
board(900mm
2!
0.8mm)
Mounted
on
an
FR4
board(PW
≤
3s)
PD -- Ta
Ambient Temperature, Ta --
°C
Allo
w
able
Po
wer
Dissipation,
P
D
--
W
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCH6308 | 3.5 A, 12 V, 0.098 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MCH6318 | 2000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MCH6318 | 2000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MCH6321 | 4 A, 20 V, 0.083 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MCH6321 | 4 A, 20 V, 0.083 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| MCH6318 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| MCH6320 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| MCH6320-TL-E | 功能描述:MOSFET PCH 1.8V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| MCH6321 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
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