- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄95923 > MCH6307 (SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD) 5 A, 12 V, 0.046 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MCH6307 |
| 廠商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 5 A, 12 V, 0.046 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | MCPH6, 6 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 29K |
| 代理商： | MCH6307 |
MCH6307
No.7080-2/4
Continued from preceding page.
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Input Capacitance
Ciss
VDS=--6V, f=1MHz
940
pF
Output Capacitance
Coss
VDS=--6V, f=1MHz
230
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
VDS=--6V, f=1MHz
180
pF
Turn-ON Delay Time
td(on)
See specified Test Circuit.
12
ns
Rise Time
tr
See specified Test Circuit.
143
ns
Turn-OFF Delay Time
td(off)
See specified Test Circuit.
71
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
89
ns
Total Gate Charge
Qg
VDS=--6V, VGS=--4.5V, ID=--5A
11
nC
Gate-to-Source Charge
Qgs
VDS=--6V, VGS=--4.5V, ID=--5A
1.6
nC
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Qgd
VDS=--6V, VGS=--4.5V, ID=--5A
2.8
nC
Diode Forward Voltage
VSD
IS=--5A, VGS=0
--0.85
--1.5
V
Switching Time Test Circuit
ID -- VDS
ID -- VGS
RDS(on) -- VGS
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
m
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Drain
Current,
I
D
--
A
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
Drain
Current,
I
D
--
A
RDS(on) -- Ta
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
m
Ambient Temperature, Ta --
°C
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
20
60
40
80
100
120
160
140
0
--7
--8
Ta=25
°C
IT03867
0
--0.5
--1.0
--2.0
--4.5
--5.0
--3.5
--4.0
--0.2
--1.5
--3.0
--2.5
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--0.1
--0.3
--0.5
--0.7
--0.9
VGS= --1.0V
ID= --0.3A
--3.0A
--1.5A
--3.5V
--1.8V
--4.5V
--2.5V
--1.5V
--3.0V
IT03865
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
--1.6
--1.8
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
--9
VDS= --6V
25
°C
--25
°C
T
a=75
°C
IT03866
IT03868
ID=
--0.3A,
VGS
= --1.8V
ID= -
-1.5A,
VGS=
--2.5V
ID= --3.0A,
VGS= -
-4.5V
0
20
40
60
80
120
100
PW=10
s
D.C.
≤1%
0V
--4.5V
VIN
P.G
50
G
S
ID= --3A
RL=2
VDD= --6V
VOUT
D
MCH6307
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCH6308 | 3.5 A, 12 V, 0.098 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MCH6318 | 2000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MCH6318 | 2000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MCH6321 | 4 A, 20 V, 0.083 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MCH6321 | 4 A, 20 V, 0.083 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MCH6308-TL-E | 制造商:SANYO 功能描述:Pch 12V 3.5A lbogU Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET P CH 12V 3.5A SC-82 制造商:Sanyo 功能描述:0 |
| MCH6318 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| MCH6320 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| MCH6320-TL-E | 功能描述:MOSFET PCH 1.8V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| MCH6321 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。