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參數資料
| 型號： | MCH5805 |
| 廠商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 600 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | MCPH5, 5 PIN |
| 文件頁數： | 4/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 40K |
| 代理商： | MCH5805 |
MCH5805
No.7125-4/5
IT03951
IT03950
0
PD -- Ta
0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
20
40
60
80
100
120
140
160
--0.01
--0.1
A S O
--0.1
--1.0
7
5
3
2
7
5
3
2
5
3
2
--1.0
23
5 7
--10
23
5 7
--100
23
5 7
10
s
1ms
10ms
100ms
DC
operation
100
s
IT03949
0
VGS -- Qg
0
--7
--6
--5
--4
--3
--1
--2
--10
--9
--8
2.0
0.5
1.0
1.5
2.5
VDS= --10V
ID= --0.6A
IDP= --2.4A
Operation in this area
is limited by RDS(on).
10
20
30
40
50
60
70
2
5
2
5
2
5
2
5
1000
100
10
1.0
2
5
0.1
0.01
0
ID00261
IR -- VR
0.2
0.3
0.4
0.5
0.7
0.6
0.1
0
ID00260
IF -- VF
Ta=125°
C
100°C
25°C
50°C
75°C
7
5
2
1.0
10
3
7
5
100
3
7
5
2
3
5
T
a=125
°C
25
°C
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
2
1.0
10
3
7
5
2
3
5
23
5
7
1.0
10
23
5
7
100
ID00263
C -- VR
f=1MHz
180
°
360
°
θ
360
°
(3)
(1)
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0.12
0.14
PF(AV) -- IO
IT03952
(2)
(4)
Mounted
on
a ceramic
board(900mm
2!
0.8mm)
1unit
[MOSFET]
[SBD]
Ta=25
°C
Single pulse
Mounted on a ceramic board(900mm2!0.8mm) 1unit
[MOSFET]
Total Gate Charge, Qg -- nC
Ambient Temperature, Ta --
°C
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Sine wave
Reverse Voltage, VR -- V
Average Forward Current, IO -- A
Forward Voltage, VF -- V
(1) Rectangular wave
θ=60°
(2) Rectangular wave
θ=120°
(3) Rectangular wave
θ=180°
(4) Sine wave
θ=180°
Rectangular wave
Gate-to-Source
V
oltage,
V
GS
--
V
Allo
w
able
Po
wer
Dissipation,
P
D
--
W
Drain
Current,
I
D
-
A
Interterminal
Capacitance,
C
--
pF
Re
v
erse
Current,
I
R
-
A
v
erage
F
orw
ard
Po
wer
Dissipation,
P
F
(A
V)
-
W
F
orw
ard
Current,
I
F
--
mA
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PDF描述 |
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參數描述 |
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